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（b）在T=0.75TCS时，调查不同宽度（6ξ0到14ξ0）超导带的磁场依赖的电阻，可以看到，重新进入行为只发生在超导带宽度处在9ξ0≤w≤13ξ0范围时通过TDGL计算，显示需关作者揭示了其内在机制：随着磁场强度的增加，无耗散状态被破坏，并且由于涡流的进出超导纳米带开而产生了中间电阻状态。

图四、济南Ta2PdS5纳米带重新进入超导行为的原理（a）利用Ginzburg-Landau理论获得的wξ的超导带的相图示意图。（c）温度从1.9K变为3.5K时，房地器件的磁阻等温线。此外，产市场总作者的计算结果显示这种重新进入行为只发生在具有特定宽度的样品中，与实验的观测结果吻合地很好。

图三、体平在不同磁场方向和电流激励下的重新进入行为（a）在T=2K，I=35μA时，器件的角度依赖的归一化电阻R/RN。【成果简介】近日，购房复旦大学修发贤教授（通讯作者）等人报道了在准一维（准1D）超导Ta2PdS5纳米带中观测到的超导重新进入行为。

（c）在T=2K时，意愿不同磁场下Ta2PdS5纳米带器件的电流-电压关系，当磁场处在0.5T≤B≤1.875T范围时，曲线出现相交的现象。

随着磁场强度的增大，偏弱Ta2PdS5纳米带的磁电阻先增大后减小到零，重新进入超导无耗散态。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，最新注投稿邮箱[email protected]。

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